SI1012R-T1-GE3 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für SI1012R-T1-GE3, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SI1012R-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie SI1012R-T1-GE3 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
SI1012R-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI1012R-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 30551 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI1012R-T1-GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±6V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-75A |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 150mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-75A |
| Andere Namen: | SI1012R-T1-GE3CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 33 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.75nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SI1012R-T1-GE3
läst Nachrichten
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet