NGTB30N65IHL2WG
NGTB30N65IHL2WG
Artikelnummer:
NGTB30N65IHL2WG
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 70A 300W TO247
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
44261 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NGTB30N65IHL2WG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 30A
Testbedingung:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:-/145ns
Schaltenergie:200µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247-3
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):430ns
Leistung - max:300W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:135nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 60A 300W Through Hole TO-247-3
Strom - Collector Pulsed (Icm):120A
Strom - Kollektor (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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