NGTB30N60L2WG
NGTB30N60L2WG
Artikelnummer:
NGTB30N60L2WG
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 30A TO247
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
49979 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NGTB30N60L2WG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.6V @ 15V, 30A
Testbedingung:300V, 30A, 30 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:100ns/390ns
Schaltenergie:310µJ (on), 1.14mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247-3
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):70ns
Leistung - max:225W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:166nC
detaillierte Beschreibung:IGBT 600V 100A 225W Through Hole TO-247-3
Strom - Collector Pulsed (Icm):60A
Strom - Kollektor (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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