IXFV12N120PS ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für IXFV12N120PS, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IXFV12N120PS per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie IXFV12N120PS mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
IXFV12N120PS
- Artikelnummer:
- IXFV12N120PS
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 26905 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IXFV12N120PS.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PLUS-220SMD |
| Serie: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.35 Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 543W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | PLUS-220SMD |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 103nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 1200V 12A (Tc) 543W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IXFV12N120PS
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT86N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 86A TO268 | Anfrage |
 |
IXFV12N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 | Anfrage |
|
IXFT9N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 | Anfrage |
 |
IXFV110N10PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S | Anfrage |
|
IXFV14N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S | Anfrage |
|
IXFV14N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 | Anfrage |
|
IXFV16N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S | Anfrage |
|
IXFT88N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 | Anfrage |
|
IXFV15N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220 | Anfrage |
|
IXFT94N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 | Anfrage |
|
IXFV12N90PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD | Anfrage |
|
IXFV12N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 | Anfrage |
|
IXFT96N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 | Anfrage |
|
IXFV16N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220 | Anfrage |
|
IXFV12N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 | Anfrage |
|
IXFV110N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 | Anfrage |
|
IXFV15N100PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD | Anfrage |
|
IXFT94N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 | Anfrage |
|
IXFV12N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S | Anfrage |
|
IXFT88N28P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 280V 88A TO268 | Anfrage |
läst Nachrichten
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last