IXFV12N120PS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFV12N120PS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFV12N120PS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFV12N120PS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFV12N120PS
- رقم القطعة:
- IXFV12N120PS
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26905 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFV12N120PS.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS-220SMD |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.35 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 543W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | PLUS-220SMD |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 103nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1200V 12A (Tc) 543W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFV12N120PS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT86N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 86A TO268 | تحقيق |
 |
IXFV12N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFT9N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFV110N10PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S | تحقيق |
|
IXFV14N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S | تحقيق |
|
IXFV14N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFV16N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S | تحقيق |
|
IXFT88N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 | تحقيق |
|
IXFV15N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFT94N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 | تحقيق |
|
IXFV12N90PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD | تحقيق |
|
IXFV12N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFT96N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 | تحقيق |
|
IXFV16N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFV12N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFV110N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFV15N100PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD | تحقيق |
|
IXFT94N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 | تحقيق |
|
IXFV12N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S | تحقيق |
|
IXFT88N28P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 280V 88A TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات