IS61NLP102418-200B3I
Artikelnummer:
IS61NLP102418-200B3I
Hersteller:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Beschreibung:
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
44149 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IS61NLP102418-200B3I.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:3.135 V ~ 3.465 V
Technologie:SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse:165-TFBGA (13x15)
Serie:-
Verpackung / Gehäuse:165-TBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15)
Uhrfrequenz:200MHz
Zugriffszeit:3.1ns
Email:[email protected]

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