IS61NLP102418-200B3I je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IS61NLP102418-200B3I, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IS61NLP102418-200B3I e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IS61NLP102418-200B3I s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IS61NLP102418-200B3I
- Part Number:
- IS61NLP102418-200B3I
- Popis:
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44149 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IS61NLP102418-200B3I.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technika: | SRAM - Synchronous |
| Dodavatel zařízení Package: | 165-TFBGA (13x15) |
| Série: | - |
| Paket / krabice: | 165-TBGA |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Volatile |
| Velikost paměti: | 18Mb (1M x 18) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | SRAM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
| Frekvence hodin: | 200MHz |
| přístupová doba: | 3.1ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IS61NLP102418-200B3I
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný