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IPSH4N03LA G
IPSH4N03LA G
Artikelnummer:
IPSH4N03LA G
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
49192 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IPSH4N03LA G.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 40µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max):94W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Andere Namen:IPSH4N03LA G-ND
IPSH4N03LAG
IPSH4N03LAGX
SP000016331
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 25V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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