IPSH4N03LA G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IPSH4N03LA G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IPSH4N03LA G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IPSH4N03LA G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IPSH4N03LA G
- رقم القطعة:
- IPSH4N03LA G
- وصف:
- MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49192 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IPSH4N03LA G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 40µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO251-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.4 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 94W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| اسماء اخرى: | IPSH4N03LA G-ND IPSH4N03LAG IPSH4N03LAGX SP000016331 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3200pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 26nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 25V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPSH4N03LA G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPSAT-G2503-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-250BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSAT-G2502-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-25BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSAT-G4002-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-40BARG 4-20MA | تحقيق |
 |
IPSL-A1000-5 | Cynergy3 | SENSOR PRESSURE 0-1BARA 4-20MA | تحقيق |
 |
IPSH6N03LA G | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK | تحقيق |
|
IPSAT-G1000-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-1BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSH5N03LA G | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK | تحقيق |
|
IPSL-G0050-5 | Cynergy3 | SENSOR PRESSURE 0-50MBARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSL-A0750-5 | Cynergy3 | SENSOR PRESSURE 0-.75BARA 4-20MA | تحقيق |
|
IPSAT-G1602-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-16BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSL-G0050-D | Cynergy3 | SENSOR PRESSURE 0-50MBARG .5-4.5 | تحقيق |
|
IPSAT-G6000-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-6BARG 4-20MA | تحقيق |
 |
IPSL-G0050-5M12 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS. 0-50MBARG 1/4" B | تحقيق |
|
IPSL-G0050-6M12 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS. 0-50MBARG 1/4" B | تحقيق |
|
IPSAT-G4003-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-400BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSAT-G1002-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-10BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSAT-GM1P9-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS -1-9BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSH6N03LB G | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK | تحقيق |
|
IPSAT-G1003-5 | Cynergy3 | PRESSURE TRANS 0-100BARG 4-20MA | تحقيق |
|
IPSL-A0500-5 | Cynergy3 | SENSOR PRESSURE 0-.5BARA 4-20MA | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU