FGAF40S65AQ ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für FGAF40S65AQ, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FGAF40S65AQ per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie FGAF40S65AQ mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
FGAF40S65AQ
- Artikelnummer:
- FGAF40S65AQ
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- 650V 40A FS4 SA IGBT
- Bestandsmenge:
- 28348 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FGAF40S65AQ.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 40A |
| Testbedingung: | 400V, 10A, 6 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 17.8ns/81.6ns |
| Schaltenergie: | 132µJ (on), 62µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3PF-3 |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 274ns |
| Leistung - max: | 94W |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3 Full Pack |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung: | 75nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 94W Through Hole TO-3PF-3 |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 160A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für FGAF40S65AQ
läst Nachrichten
- Der Plan von Micron, eine Fabrik, einen NAND -Flash -Speicher zu hohen Preisen oder Wartung zu erstellen
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte