DSEP8-06A ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für DSEP8-06A, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für DSEP8-06A per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie DSEP8-06A mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
DSEP8-06A
- Artikelnummer:
- DSEP8-06A
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 55480 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- DSEP8-06A.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 2.1V @ 10A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AC |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | HiPerFRED™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 35ns |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-2 |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220AC |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 60µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io): | 10A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für DSEP8-06A
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | Anfrage |
 |
DSEP8-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA | Anfrage |
 |
DSEP60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | Anfrage |
 |
DSEP60-06AT | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA | Anfrage |
 |
DSEP75-06AR | IXYS | DIODE GEN 600V 75A ISOPLUS247 | Anfrage |
|
DSEP30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD | Anfrage |
|
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | Anfrage |
|
DSEP30-12CR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | Anfrage |
 |
DSEP8-02A | IXYS | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | Anfrage |
|
DSEP8-06B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | Anfrage |
 |
DSEP40-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 40A TO263 | Anfrage |
|
DSEP8-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC | Anfrage |
|
DSEP8-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC | Anfrage |
|
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | Anfrage |
|
DSEP6-06BS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | Anfrage |
|
DSEP60-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247 | Anfrage |
|
DSEP9-06CR | IXYS | DIODE GEN 600V 9A ISOPLUS247 | Anfrage |
|
DSEP6-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | Anfrage |
|
DSEP30-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | Anfrage |
|
DSEP60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | Anfrage |
läst Nachrichten
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last