DSEP8-06A je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DSEP8-06A, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DSEP8-06A e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DSEP8-06A s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DSEP8-06A
- Part Number:
- DSEP8-06A
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 55480 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DSEP8-06A.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 2.1V @ 10A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AC |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | HiPerFRED™ |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 35ns |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-2 |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220AC |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 60µA @ 600V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 10A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DSEP8-06A
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | Dotaz |
 |
DSEP8-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA | Dotaz |
 |
DSEP60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | Dotaz |
 |
DSEP60-06AT | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA | Dotaz |
 |
DSEP75-06AR | IXYS | DIODE GEN 600V 75A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
DSEP30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD | Dotaz |
|
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | Dotaz |
|
DSEP30-12CR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | Dotaz |
 |
DSEP8-02A | IXYS | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | Dotaz |
|
DSEP8-06B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | Dotaz |
 |
DSEP40-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 40A TO263 | Dotaz |
|
DSEP8-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC | Dotaz |
|
DSEP8-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC | Dotaz |
|
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | Dotaz |
|
DSEP6-06BS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | Dotaz |
|
DSEP60-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
DSEP9-06CR | IXYS | DIODE GEN 600V 9A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
DSEP6-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | Dotaz |
|
DSEP30-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
DSEP60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení