DMN3900UFA-7B
DMN3900UFA-7B
Artikelnummer:
DMN3900UFA-7B
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
58232 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
DMN3900UFA-7B.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:X2-DFN0806-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:760 mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max):390mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:3-XFDFN
Andere Namen:DMN3900UFA-7BTR
DMN3900UFA7B
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:42.2pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:550mA (Ta)
Email:[email protected]

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