DMN3900UFA-7B je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DMN3900UFA-7B, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DMN3900UFA-7B e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DMN3900UFA-7B s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DMN3900UFA-7B
- Part Number:
- DMN3900UFA-7B
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 58232 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DMN3900UFA-7B.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | X2-DFN0806-3 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 760 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 390mW (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 3-XFDFN |
| Ostatní jména: | DMN3900UFA-7BTR DMN3900UFA7B |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 42.2pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.7nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | N-Channel 30V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 550mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DMN3900UFA-7B
Latest News
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy
- Společnost Toshiba uvádí na trh ovladač brány Smartmcd Series IC s vestavěným mikrokontrolérem
- Samsung: Čelit výzvě dvou hlavních oblastí, získejte finanční prostředky na porušení situace
- Zralá slévárna okraje opět snižuje cenu, Samsung je nezávislý na paměti NVIDIA HBM3E