BSB044N08NN3GXUMA1
BSB044N08NN3GXUMA1
Artikelnummer:
BSB044N08NN3GXUMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
23503 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
BSB044N08NN3GXUMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 97µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):2.2W (Ta), 78W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:3-WDSON
Andere Namen:BSB044N08NN3 GCT
BSB044N08NN3 GCT-ND
BSB044N08NN3GXUMA1CT
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5700pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 80V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:18A (Ta), 90A (Tc)
Email:[email protected]

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