BSB015N04NX3GXUMA1
BSB015N04NX3GXUMA1
Artikelnummer:
BSB015N04NX3GXUMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
22222 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
BSB015N04NX3GXUMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:3-WDSON
Andere Namen:BSB015N04NX3 GCT
BSB015N04NX3 GCT-ND
BSB015N04NX3GXUMA1CT
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:142nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 40V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:36A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

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