1N5407 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für 1N5407, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 1N5407 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie 1N5407 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
1N5407
- Artikelnummer:
- 1N5407
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 56571 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1N5407.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Spitzensperr- (max): | Standard |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 3A |
| Spannung - Durchschlag: | DO-201AD |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Widerstand @ If, F: | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Polarisation: | DO-201AD, Axial |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | 1N5407 |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Diodenkonfiguration: | 5µA @ 800V |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 1.2V @ 3A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 800V |
| Kapazität @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für 1N5407
läst Nachrichten
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?