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1N5407G
- Artikelnummer:
- 1N5407G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 58865 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1N5407G.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1V @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 800V |
| Supplier Device-Gehäuse: | Axial |
| Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Andere Namen: | 1N5407GOS |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 800V 3A Through Hole Axial |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 10µA @ 800V |
| Strom - Richt (Io): | 3A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Basisteilenummer: | 1N5407 |
| Email: | [email protected] |
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