19MT050XF ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für 19MT050XF, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 19MT050XF per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie 19MT050XF mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
19MT050XF
- Artikelnummer:
- 19MT050XF
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 54187 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 19MT050XF.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 6V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 16-MTP |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 220 mOhm @ 19A, 10V |
| Leistung - max: | 1140W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | 16-MTP Module |
| Andere Namen: | *19MT050XF |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7210pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| Typ FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 31A 1140W Chassis Mount 16-MTP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 31A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für 19MT050XF
läst Nachrichten
- ARM erschien in Computex 2024: Es wird erwartet, dass mehr als 100 Milliarden ARM -Geräte für AI bis Ende 2025 verwendet werden können
- Qorvo hat die herausragenden 5G -MMIMO -Vorläufe der Branche auf den Markt gebracht
- Simulationszyklus -Inventarbooting Out, KI fährt den Flash -Speicherbedarf fort
- Der Plan von Micron, eine Fabrik, einen NAND -Flash -Speicher zu hohen Preisen oder Wartung zu erstellen
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich