19MT050XF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 19MT050XF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 19MT050XF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 19MT050XF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
19MT050XF
- رقم القطعة:
- 19MT050XF
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54187 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 19MT050XF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-MTP |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 220 mOhm @ 19A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1140W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 16-MTP Module |
| اسماء اخرى: | *19MT050XF |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7210pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 160nC @ 10V |
| نوع FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 31A 1140W Chassis Mount 16-MTP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل19MT050XF
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي