THGBMHG9C4LBAIR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro THGBMHG9C4LBAIR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro THGBMHG9C4LBAIR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si THGBMHG9C4LBAIR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
THGBMHG9C4LBAIR
- Part Number:
- THGBMHG9C4LBAIR
- Výrobce:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Popis:
- IC FLASH 512G MMC 153WFBGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27445 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.THGBMHG9C4LBAIR.pdf2.THGBMHG9C4LBAIR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technika: | FLASH - NAND |
| Dodavatel zařízení Package: | 153-WFBGA (11.5x13) |
| Série: | e•MMC™ |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 153-WFBGA |
| Ostatní jména: | THGBMHG9C4LBAIRA43 THGBMHG9C4LBAIRA4H THGBMHG9C4LBAIRA4L THGBMHG9C4LBAIRAPL THGBMHG9C4LBAIRH4H THGBMHG9C4LBAIRH4L THGBMHG9C4LBAIRHJL THGBMHG9C4LBAIRHLL THGBMHG9C4LBAIRJ4L THGBMHG9C4LBAIRJ4S THGBMHG9C4LBAIRYFE THGBMHG9C4LBAIRYFJ THGBMHG9C4LBAIRYGE THGBMHG9C4LBAIRYGJ THGBMHG9C4LBAIRYHG THGBMHG9C4LBAIRYHL |
| Provozní teplota: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 512Gb (64G x 8) |
| Paměťové rozhraní: | MMC |
| Formát paměti: | FLASH |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
| Frekvence hodin: | 52MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro THGBMHG9C4LBAIR
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS