QS8J13TR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro QS8J13TR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro QS8J13TR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si QS8J13TR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
QS8J13TR
- Part Number:
- QS8J13TR
- Výrobce:
- LAPIS Semiconductor
- Popis:
- MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 26734 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.QS8J13TR.pdf2.QS8J13TR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 1mA |
| Dodavatel zařízení Package: | TSMT8 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Power - Max: | 1.25W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SMD, Flat Lead |
| Ostatní jména: | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 6300pF @ 6V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 12V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 5.5A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro QS8J13TR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
QS8J1TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8K51TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 | Dotaz |
 |
APTM100DUM90G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | Dotaz |
|
QS8F2TCR | LAPIS Semiconductor | MOSFET/TRANS P-CH/PNP TSMT8 | Dotaz |
|
QS8K11TCR | LAPIS Semiconductor | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET | Dotaz |
|
QS8J12TCR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8M12TCR | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8M51TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8J2TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8J4TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 | Dotaz |
 |
BUK7K45-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56 | Dotaz |
|
QS8J11TCR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 | Dotaz |
 |
SI5504DC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | Dotaz |
|
APTM50DHM35G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 | Dotaz |
|
QS8M13TCR | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8K21TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8K13TCR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8M11TCR | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8J5TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8 | Dotaz |
|
QS8K2TR | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 | Dotaz |
Latest News
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU