MJD45H11-1G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MJD45H11-1G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MJD45H11-1G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MJD45H11-1G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MJD45H11-1G
- Part Number:
- MJD45H11-1G
- Popis:
- TRANS PNP 80V 8A IPAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 20971 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MJD45H11-1G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 80V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1V @ 400mA, 8A |
| Transistor Type: | PNP |
| Dodavatel zařízení Package: | I-PAK |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.75W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Ostatní jména: | MJD45H11-1GOS MJD45H111G |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 90MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 4A, 1V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 1µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 8A |
| Číslo základní části: | MJD45H11 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MJD45H11-1G
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory