MJD44H11T5 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MJD44H11T5, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MJD44H11T5 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MJD44H11T5 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MJD44H11T5
- Part Number:
- MJD44H11T5
- Popis:
- TRANS NPN 80V 8A DPAK
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 30406 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MJD44H11T5.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 80V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1V @ 400mA, 8A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | DPAK |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.75W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frekvence - Přechod: | 85MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 4A, 1V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 1µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 8A |
| Číslo základní části: | MJD44H11 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MJD44H11T5
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické