IR04SH1R0J je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IR04SH1R0J, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IR04SH1R0J e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IR04SH1R0J s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IR04SH1R0J
- Part Number:
- IR04SH1R0J
- Výrobce:
- Dale / Vishay
- Popis:
- IR-4 1 5% RJ1
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 56004 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IR04SH1R0J.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | - |
| Tolerance: | ±5% |
| Dodavatel zařízení Package: | Axial |
| Velikost / Rozměry: | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
| stínění: | Unshielded |
| Série: | IR |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | 50 @ 25MHz |
| Obal: | - |
| Paket / krabice: | Axial |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Materiál - jádro: | Phenolic |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 25MHz |
| indukčnost: | 1µH |
| Výška - Sedící (Max): | - |
| Frekvence - Self Resonant: | 200MHz |
| Funkce: | - |
| Detailní popis: | 1µH Unshielded Inductor 785mA 290 mOhm Max Axial |
| DC Resistance (DCR): | 290 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 785mA |
| Proud - Saturace: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IR04SH1R0J
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IR04SH151J | Dale / Vishay | IR-4 150 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH121J | Dale / Vishay | IR-4 120 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH390J | Dale / Vishay | IR-4 39 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH181J | Dale / Vishay | IR-4 180 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH181K | Dale / Vishay | IR-4 180 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SHR22M | Dale / Vishay | IR-4 .22 20% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH100K | Dale / Vishay | IR-4 10 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH101J | Dale / Vishay | IR-4 100 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH220K | Dale / Vishay | IR-4 22 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH4R7K | Dale / Vishay | IR-4 4.7 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH910J | Dale / Vishay | IR-4 91 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH182J | Dale / Vishay | IR-4 1.8K 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH430J | Dale / Vishay | IR-4 43 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH111J | Dale / Vishay | IR-4 110 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH330K | Dale / Vishay | IR-4 33 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH680J | Dale / Vishay | IR-4 68 5% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH5R6K | Dale / Vishay | IR-4 5.6 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH101K | Dale / Vishay | IR-4 100 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SH180K | Dale / Vishay | IR-4 18 10% RJ1 | Dotaz |
|
IR04SHR22K | Dale / Vishay | IR-4 .22 10% RJ1 | Dotaz |
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC