IR04SH1R0J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IR04SH1R0J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IR04SH1R0J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IR04SH1R0J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IR04SH1R0J
- رقم القطعة:
- IR04SH1R0J
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- IR-4 1 5% RJ1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56004 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IR04SH1R0J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| حجم / البعد: | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | IR |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 50 @ 25MHz |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | Axial |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مادة - كور: | Phenolic |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 25MHz |
| الحث: | 1µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 200MHz |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 1µH Unshielded Inductor 785mA 290 mOhm Max Axial |
| DC المقاومة (DCR): | 290 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 785mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIR04SH1R0J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IR04SH151J | Dale / Vishay | IR-4 150 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH121J | Dale / Vishay | IR-4 120 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH390J | Dale / Vishay | IR-4 39 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH181J | Dale / Vishay | IR-4 180 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH181K | Dale / Vishay | IR-4 180 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SHR22M | Dale / Vishay | IR-4 .22 20% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH100K | Dale / Vishay | IR-4 10 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH101J | Dale / Vishay | IR-4 100 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH220K | Dale / Vishay | IR-4 22 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH4R7K | Dale / Vishay | IR-4 4.7 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH910J | Dale / Vishay | IR-4 91 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH182J | Dale / Vishay | IR-4 1.8K 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH430J | Dale / Vishay | IR-4 43 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH111J | Dale / Vishay | IR-4 110 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH330K | Dale / Vishay | IR-4 33 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH680J | Dale / Vishay | IR-4 68 5% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH5R6K | Dale / Vishay | IR-4 5.6 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH101K | Dale / Vishay | IR-4 100 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SH180K | Dale / Vishay | IR-4 18 10% RJ1 | تحقيق |
|
IR04SHR22K | Dale / Vishay | IR-4 .22 10% RJ1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي