FDN359AN
Part Number:
FDN359AN
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
54891 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
1.FDN359AN.pdf2.FDN359AN.pdf

Úvod

FDN359AN je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FDN359AN, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FDN359AN e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FDN359AN s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SuperSOT-3
Série:PowerTrench®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:46 mOhm @ 2.7A, 10V
Ztráta energie (Max):500mW (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ostatní jména:FDN359AN_F095
FDN359ANTR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:42 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:480pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Detailní popis:N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře