FDN338P_G
Part Number:
FDN338P_G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
INTEGRATED CIRCUIT
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
20773 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
FDN338P_G.pdf

Úvod

FDN338P_G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FDN338P_G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FDN338P_G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FDN338P_G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SuperSOT-3
Série:PowerTrench®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Ztráta energie (Max):500mW (Ta)
Obal:Bulk
Paket / krabice:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:451pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):2.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Detailní popis:P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře