APT12057B2FLLG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT12057B2FLLG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT12057B2FLLG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT12057B2FLLG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT12057B2FLLG
- Part Number:
- APT12057B2FLLG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 29513 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT12057B2FLLG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 5155pF @ 25V |
| Napětí - Rozdělení: | T-MAX™ [B2] |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 570 mOhm @ 11A, 10V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | POWER MOS 7® |
| Stav RoHS: | Tube |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 22A (Tc) |
| Polarizace: | TO-247-3 Variant |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | APT12057B2FLLG |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 185nC @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 2.5mA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 1200V (1.2kV) |
| kapacitní Ratio: | 690W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT12057B2FLLG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT12067B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Dotaz |
 |
APT1204R7KFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Dotaz |
 |
APT12057B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Dotaz |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Dotaz |
 |
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | Dotaz |
 |
APT12057LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | Dotaz |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | Dotaz |
|
APT12080JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP | Dotaz |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Dotaz |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Dotaz |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Dotaz |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Dotaz |
 |
APT1211 | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | Dotaz |
|
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Dotaz |
|
APT12067JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 | Dotaz |
 |
APT1211A | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD | Dotaz |
|
APT1211AX | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | Dotaz |
|
APT12067B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Dotaz |
|
APT12057JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení