APT12057B2FLLG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT12057B2FLLG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT12057B2FLLG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT12057B2FLLG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT12057B2FLLG
- رقم القطعة:
- APT12057B2FLLG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29513 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT12057B2FLLG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 5155pF @ 25V |
| الجهد - انهيار: | T-MAX™ [B2] |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 570 mOhm @ 11A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | POWER MOS 7® |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 22A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT12057B2FLLG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 185nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5V @ 2.5mA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1200V (1.2kV) |
| نسبة السعة: | 690W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT12057B2FLLG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT12067B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | تحقيق |
 |
APT1204R7KFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | تحقيق |
 |
APT12057B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | تحقيق |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | تحقيق |
 |
APT12057LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | تحقيق |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | تحقيق |
|
APT12080JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP | تحقيق |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | تحقيق |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | تحقيق |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | تحقيق |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | تحقيق |
 |
APT1211 | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | تحقيق |
|
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | تحقيق |
|
APT12067JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 | تحقيق |
 |
APT1211A | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD | تحقيق |
|
APT1211AX | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | تحقيق |
|
APT12067B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | تحقيق |
|
APT12057JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل