VN5E016AFHTR-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VN5E016AFHTR-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VN5E016AFHTR-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VN5E016AFHTR-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VN5E016AFHTR-E
- رقم القطعة:
- VN5E016AFHTR-E
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC DVR SWITCH HI SIDE SGL HPAK-6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29352 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VN5E016AFHTR-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | - |
| الجهد - تحميل: | 4.5 V ~ 28 V |
| تبديل نوع: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | HPAK |
| سلسلة: | - |
| رديز أون (تيب): | 16 mOhm (Max) |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| نوع المخرجات: | - |
| تكوين الناتج: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| عدد من المخرجات: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | - |
| نوع المدخلات: | - |
| الميزات: | - |
| حماية الأخطاء: | - |
| الحالي - الناتج (ماكس): | - |
| رقم جزء القاعدة: | VN5E016 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVN5E016AFHTR-E
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار