VN5E010AHTR-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VN5E010AHTR-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VN5E010AHTR-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VN5E010AHTR-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VN5E010AHTR-E
- رقم القطعة:
- VN5E010AHTR-E
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC HIGH SIDE DRIVER 6-HPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35301 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VN5E010AHTR-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 4.5 V ~ 28 V |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-HPAK |
| سلسلة: | VIPower™ |
| رديز أون (تيب): | 10 mOhm |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab) |
| نوع المخرجات: | N-Channel |
| تكوين الناتج: | High Side |
| اسماء اخرى: | 497-10505-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | Auto Restart |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 60A |
| رقم جزء القاعدة: | VN5E010 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVN5E010AHTR-E
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار