VN06SP13TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VN06SP13TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VN06SP13TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VN06SP13TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VN06SP13TR
- رقم القطعة:
- VN06SP13TR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC SSR HIGHSIDE POWERSO-10
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54998 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VN06SP13TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 5.5 V ~ 26 V |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-PowerSO |
| سلسلة: | - |
| رديز أون (تيب): | 180 mOhm (Max) |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| نوع المخرجات: | N-Channel |
| تكوين الناتج: | High Side |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | Status Flag |
| حماية الأخطاء: | Open Load Detect, Over Temperature |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 9A |
| رقم جزء القاعدة: | VN06 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVN06SP13TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VN06(012Y) | STMicroelectronics | IC SSR HIGHSIDE PENTAWATT5 | تحقيق |
 |
VN06-11-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT HRZ | تحقيق |
|
VN06-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT VRT | تحقيق |
|
VN06 | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR ISO PENTAWATT-5 | تحقيق |
 |
VN03SP | STMicroelectronics | IC SSR HIGHSIDE POWERSO-10 | تحقيق |
 |
VN0606L-G | Micrel / Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | تحقيق |
|
VN06SP | STMicroelectronics | IC SSR HIGHSIDE POWERSO-10 | تحقيق |
 |
VN06(011Y) | STMicroelectronics | IC SSR HIGHSIDE PENTAWATT5 HORZ | تحقيق |
|
VN06SPTR-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 | تحقيق |
|
VN06SP-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 | تحقيق |
|
VN05N | STMicroelectronics | RELAY SSR HI-SIDE 5-PENTAWATT | تحقيق |
|
VN05N-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT | تحقيق |
|
VN0550N3-G-P013 | Micrel / Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 | تحقيق |
|
VN0550N3-G | Micrel / Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 | تحقيق |
|
VN03SPTR-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 | تحقيق |
|
VN03SP-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 | تحقيق |
|
VN0808L-G | Micrel / Microchip Technology | MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3 | تحقيق |
|
VN06-12-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT | تحقيق |
|
VN0606L-G-P003 | Micrel / Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | تحقيق |
|
VN03SP13TR | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR HSIDE POWERSO10 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل