العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > VN0606L-G
VN0606L-G
رقم القطعة:
VN0606L-G
الصانع:
Micrel / Microchip Technology
وصف:
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
28280 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
VN0606L-G.pdf
تحقيق

المقدمة

VN0606L-G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VN0606L-G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VN0606L-G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VN0606L-G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-92-3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3 Ohm @ 1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:5 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:50pF @ 25V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف تفصيلي:N-Channel 60V 330mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:330mA (Tj)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لVN0606L-G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
VN06(012Y) Image VN06(012Y) STMicroelectronics IC SSR HIGHSIDE PENTAWATT5 تحقيق
VN06-E Image VN06-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT VRT تحقيق
VN0808L-G Micrel / Microchip Technology MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3 تحقيق
VN0606L-G-P003 Micrel / Microchip Technology MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 تحقيق
VN05N Image VN05N STMicroelectronics RELAY SSR HI-SIDE 5-PENTAWATT تحقيق
VN06 Image VN06 STMicroelectronics IC SMART PWR SSR ISO PENTAWATT-5 تحقيق
VN0550N3-G-P013 Micrel / Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 تحقيق
VN06SPTR-E Image VN06SPTR-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 تحقيق
VN06-12-E Image VN06-12-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT تحقيق
VN0550N3-G Micrel / Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 تحقيق
VN05N-E Image VN05N-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT تحقيق
VN06SP13TR Image VN06SP13TR STMicroelectronics IC SSR HIGHSIDE POWERSO-10 تحقيق
VN06SP Image VN06SP STMicroelectronics IC SSR HIGHSIDE POWERSO-10 تحقيق
VN06-11-E Image VN06-11-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT HRZ تحقيق
VN03SP Image VN03SP STMicroelectronics IC SSR HIGHSIDE POWERSO-10 تحقيق
VN06SP-E Image VN06SP-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 تحقيق
VN03SPTR-E Image VN03SPTR-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 تحقيق
VN03SP13TR Image VN03SP13TR STMicroelectronics IC SMART PWR SSR HSIDE POWERSO10 تحقيق
VN06(011Y) Image VN06(011Y) STMicroelectronics IC SSR HIGHSIDE PENTAWATT5 HORZ تحقيق
VN03SP-E Image VN03SP-E STMicroelectronics IC SSR HI SIDE SMART 60V PWRSO10 تحقيق

Latest الأخبار