UCC27511AQDBVRQ1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UCC27511AQDBVRQ1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UCC27511AQDBVRQ1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UCC27511AQDBVRQ1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UCC27511AQDBVRQ1
- رقم القطعة:
- UCC27511AQDBVRQ1
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6SOT23
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55895 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UCC27511AQDBVRQ1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | SOT-23-6 |
| قذيفة ستايل: | 4.5 V ~ 18 V |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 4A, 8A |
| الاستقطاب: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | 296-41036-2 UCC27511AQDBVRQ1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | Low-Side |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | UCC27511AQDBVRQ1 |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| نوع المدخلات: | Inverting, Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 8ns, 7ns |
| نوع البوابة: | 1 |
| وصف موسع: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting SOT-23-6 |
| وصف: | IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6SOT23 |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 1V, 2.4V |
| القنوات لكل دائرة: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUCC27511AQDBVRQ1
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS