TSM3911DCX6 RFG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TSM3911DCX6 RFG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TSM3911DCX6 RFG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TSM3911DCX6 RFG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TSM3911DCX6 RFG
- رقم القطعة:
- TSM3911DCX6 RFG
- الصانع:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- وصف:
- MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40394 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TSM3911DCX6 RFG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 140 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.15W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | TSM3911DCX6 RFGTR TSM3911DCX6 RFGTR-ND TSM3911DCX6RFGTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 882.51pF @ 6V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 15.23nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTSM3911DCX6 RFG
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة