TK13A55DA(STA4,QM) متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TK13A55DA(STA4,QM)، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TK13A55DA(STA4,QM) عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TK13A55DA(STA4,QM) مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TK13A55DA(STA4,QM)
- رقم القطعة:
- TK13A55DA(STA4,QM)
- وصف:
- MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41272 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TK13A55DA(STA4,QM).pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220SIS |
| سلسلة: | π-MOSVII |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 480 mOhm @ 6.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 45W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| اسماء اخرى: | TK13A55DA(STA4QM) TK13A55DASTA4QM |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 550V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 550V 12.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTK13A55DA(STA4,QM)
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار