TK12P60W,RVQ
TK12P60W,RVQ
رقم القطعة:
TK12P60W,RVQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
36283 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
TK12P60W,RVQ.pdf

المقدمة

TK12P60W,RVQ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TK12P60W,RVQ، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TK12P60W,RVQ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TK12P60W,RVQ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.7V @ 600µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DPAK
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:340 mOhm @ 5.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:TK12P60WRVQCT
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:890pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف تفصيلي:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار