STTH12S06FP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH12S06FP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH12S06FP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH12S06FP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH12S06FP
- رقم القطعة:
- STTH12S06FP
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 12A TO220FP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53213 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH12S06FP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 3.4V @ 12A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220FPAC |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 21ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | 497-12682-5 STTH12S06FP-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 175°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 12A Through Hole TO-220FPAC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 30µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 12A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH12S06FP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH12R06G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK | تحقيق |
 |
STTH12R06D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH1502DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH1506DPI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 15A DOP3I | تحقيق |
 |
STTH1302CFP | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 6.5A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH1506TPI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 600V 15A 3TOPI | تحقيق |
|
STTH1212D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A TO220AC | تحقيق |
|
STTH1302CG-TR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 6.5A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1502D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH1302CT | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 6.5A TO220AB | تحقيق |
 |
STTH1212G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1302CG | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 6.5A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1212G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1210G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK | تحقيق |
 |
STTH1502FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 15A TO220FP | تحقيق |
|
STTH12R06G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK | تحقيق |
 |
STTH12R06FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220FP | تحقيق |
|
STTH1210G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH12R06DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC | تحقيق |
|
STTH12T06DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل