STTH1210G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH1210G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH1210G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH1210G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH1210G
- رقم القطعة:
- STTH1210G
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51295 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH1210G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 12A |
| الجهد - انهيار: | D2PAK |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 90ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | STTH1210G |
| وصف موسع: | Diode Standard 1000V (1kV) 12A Surface Mount D2PAK |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 1000V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2V @ 12A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 1000V (1kV) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH1210G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH1202DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 12A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH120L06TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 600V 60A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH12R06G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH12R06DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH12R06D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH1212G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH120L04TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH1212D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A TO220AC | تحقيق |
|
STTH1210DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220INS | تحقيق |
 |
STTH12S06FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220FP | تحقيق |
|
STTH1210D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | تحقيق |
|
STTH120R04TV2 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH1210FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220FP | تحقيق |
|
STTH1210G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1210DY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | تحقيق |
|
STTH12R06G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1212G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1202FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 12A TO220FP | تحقيق |
|
STTH12R06FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220FP | تحقيق |
|
STTH120R04TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS