STTH12010TV1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH12010TV1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH12010TV1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH12010TV1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH12010TV1
- رقم القطعة:
- STTH12010TV1
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE MODULE 1KV 60A ISOTOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36045 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH12010TV1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2V @ 60A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1000V |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOTOP® |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 115ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOTOP |
| اسماء اخرى: | 497-16209-5 STTH12010TV1-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 31 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2 Independent |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 2 Independent Standard 1000V 60A Chassis Mount ISOTOP |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 20µA @ 1000V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH12010TV1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH1210D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | تحقيق |
|
STTH1202D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 12A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH112A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMA | تحقيق |
 |
STTH12004TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH120R04TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH112UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB | تحقيق |
|
STTH120L04TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH12012TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH12012TV2 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH120L06TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 600V 60A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH110RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | تحقيق |
 |
STTH1202DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 12A TO220AC | تحقيق |
|
STTH12003TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 300V 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH110UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMBFLAT | تحقيق |
|
STTH12002TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 200V 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH112 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41 | تحقيق |
|
STTH112RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41 | تحقيق |
|
STTH120R04TV2 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH1202FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 12A TO220FP | تحقيق |
|
STTH112U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل