STTH112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH112
- رقم القطعة:
- STTH112
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26125 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.9V @ 1A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-41 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 75ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 175°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 1200V 1A Through Hole DO-41 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | STTH112 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH12004TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH110 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | تحقيق |
 |
STTH110A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | تحقيق |
 |
STTH10R04FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP | تحقيق |
|
STTH110RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | تحقيق |
 |
STTH10R04G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
STTH112UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB | تحقيق |
|
STTH112RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41 | تحقيق |
|
STTH12012TV2 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH12012TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH112U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB | تحقيق |
 |
STTH10R04B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 10A DPAK | تحقيق |
|
STTH12010TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 1KV 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH110UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMBFLAT | تحقيق |
 |
STTH10R04G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK | تحقيق |
|
STTH12002TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 200V 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH10R04B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 10A DPAK | تحقيق |
|
STTH12003TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 300V 60A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH112A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMA | تحقيق |
 |
STTH10R04D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU