LPC11D14FBD100/302 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LPC11D14FBD100/302، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LPC11D14FBD100/302 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LPC11D14FBD100/302 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LPC11D14FBD100/302
- رقم القطعة:
- LPC11D14FBD100/302
- وصف:
- IC MCU 32BIT 32KB FLASH 100LQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25439 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.LPC11D14FBD100/302.pdf2.LPC11D14FBD100/302.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 100-LQFP (14x14) |
| سرعة: | 50MHz |
| سلسلة: | LPC11Dxx |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 8K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 32KB (32K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | Brown-out Detect/Reset, LCD, POR, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 100-LQFP |
| اسماء اخرى: | 568-8564 935296591551 LPC11D14FBD100302 |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 42 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-M0 LPC11Dxx Microcontroller IC 32-Bit 50MHz 32KB (32K x 8) FLASH 100-LQFP (14x14) |
| محولات البيانات: | A/D 8x10b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-M0 |
| الاتصال: | I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | LPC11D |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLPC11D14FBD100/302
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي