LPC11C22FBD48/301, متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LPC11C22FBD48/301,، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LPC11C22FBD48/301, عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LPC11C22FBD48/301, مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LPC11C22FBD48/301,
- رقم القطعة:
- LPC11C22FBD48/301,
- وصف:
- IC MCU 32BIT 16KB FLASH 48LQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52091 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 48-LQFP (7x7) |
| سرعة: | 50MHz |
| سلسلة: | LPC11Cxx |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 8K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 16KB (16K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | Brown-out Detect/Reset, POR, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 48-LQFP |
| اسماء اخرى: | 568-6643 935294284151 LPC11C22FBD48/301 LPC11C22FBD48301 |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 36 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-M0 LPC11Cxx Microcontroller IC 32-Bit 50MHz 16KB (16K x 8) FLASH 48-LQFP (7x7) |
| محولات البيانات: | A/D 8x10b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-M0 |
| الاتصال: | CANbus, I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | LPC11C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLPC11C22FBD48/301,
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي