JAN1N6674R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N6674R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N6674R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N6674R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N6674R
- رقم القطعة:
- JAN1N6674R
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 500V 15A D5D
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54076 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N6674R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.55V @ 20A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 500V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-254AA |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/617 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 35ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| اسماء اخرى: | 1086-16028 1086-16028-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 200°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 500V 15A Through Hole TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50µA @ 400V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N6674R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6677UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N6643US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6660DT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N6843CCU3 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA U3 | تحقيق |
|
JAN1N7043CAT1 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
JAN1N6660CAT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N7039CCT1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254 | تحقيق |
|
JAN1N7037CCU1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35A 100V SMD | تحقيق |
 |
JAN1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB | تحقيق |
 |
JAN1N6643US | Semtech | .3A ULTRA FAST 75V | تحقيق |
|
JAN1N6844U3 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3 | تحقيق |
|
JAN1N6642UBD | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JAN1N6845U3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 30A U3 | تحقيق |
 |
JAN1N6642US | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | تحقيق |
|
JAN1N7043CCT1 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
JAN1N6660 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N6643 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N7048UR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
 |
JAN1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | تحقيق |
|
JAN1N6660CCT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل