JAN1N6642UBD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N6642UBD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N6642UBD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N6642UBD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N6642UBD
- رقم القطعة:
- JAN1N6642UBD
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA UB
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 38380 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N6642UBD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 100mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 75V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 3-UB (3.09x2.45) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 5ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 3-SMD, No Lead |
| اسماء اخرى: | 1086-20037 1086-20037-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 40 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 75V 300mA Surface Mount 3-UB (3.09x2.45) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500nA @ 75V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 300mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N6642UBD
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6642UBCC | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JAN1N6660 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N6674R | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 15A D5D | تحقيق |
|
JAN1N6660CAT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N6642UBCA | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JAN1N6642 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6642UB2R | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
 |
JAN1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | تحقيق |
|
JAN1N6660DT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N6643US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6640US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | تحقيق |
 |
JAN1N6642US | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | تحقيق |
|
JAN1N6641 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6660CCT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N6642UB | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JAN1N6641US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | تحقيق |
 |
JAN1N6643US | Semtech | .3A ULTRA FAST 75V | تحقيق |
|
JAN1N6643 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6642U | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | تحقيق |
|
JAN1N6642UB2 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل