JAN1N6074 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N6074، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N6074 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N6074 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N6074
- رقم القطعة:
- JAN1N6074
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 40939 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N6074.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.04V @ 9.4A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | A-PAK |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/503 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | A, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-2128 1086-2128-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 155°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 100V 3A Through Hole A-PAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N6074
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6076 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5819UR-1/TR | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | تحقيق |
|
JAN1N6078 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6309CUS | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N6309D | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | تحقيق |
 |
JAN1N5819-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | تحقيق |
 |
JAN1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6081 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5822 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5819UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N6309C | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N6309 | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N6075 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N6309DUS | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N6077 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6073 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5968 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل