JAN1N5968 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N5968، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N5968 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N5968 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N5968
- رقم القطعة:
- JAN1N5968
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 21030 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N5968.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 5.6V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 1A |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | E, Axial |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/356 |
| السلطة - ماكس: | 5W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | E, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-15843 1086-15843-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 1 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5000µA @ 4.28V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N5968
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6309 | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N6077 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5822 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6309CUS | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N5819UR-1/TR | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | تحقيق |
|
JAN1N6309C | Microsemi | VOLTAGE REGULATOR | تحقيق |
|
JAN1N6081 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N6074 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5819-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | تحقيق |
|
JAN1N6073 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6076 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5819UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N6078 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6075 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي