JAN1N5814 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N5814، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N5814 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N5814 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N5814
- رقم القطعة:
- JAN1N5814
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 27422 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N5814.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 20A |
| الجهد - انهيار: | DO-203AA (DO-4) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 300pF @ 10V, 1MHz |
| الاستقطاب: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 1086-15835 1086-15835-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 35ns |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N5814 |
| وصف موسع: | Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 100V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 950mV @ 20A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 100V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N5814
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5806US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A | تحقيق |
 |
JAN1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | تحقيق |
|
JAN1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N5819UR-1/TR | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5819UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF | تحقيق |
 |
JAN1N5822 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N5968 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6073 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | تحقيق |
|
JAN1N6075 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6076 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6074 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5819-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | تحقيق |
|
JAN1N5807URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM