IXZ308N120 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXZ308N120، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXZ308N120 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXZ308N120 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXZ308N120
- رقم القطعة:
- IXZ308N120
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE375
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53697 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXZ308N120.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 1200V |
| الجهد - انهيار: | - |
| سلسلة: | Z-MOS™ |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| الاستقطاب: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXZ308N120 |
| تردد: | - |
| نوع FET: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| وصف: | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 |
| التصويت الحالي: | 1mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | N-Channel |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXZ308N120
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | تحقيق |
 |
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
STAC1011-350 | STMicroelectronics | FET RF 80V 1.09GHZ STAC265B | تحقيق |
 |
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
IXZ210N50L | IXYS Corporation | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | تحقيق |
 |
BLF879P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | تحقيق |
|
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-160AVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | تحقيق |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | تحقيق |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | تحقيق |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | تحقيق |
|
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل